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中國功率半導體器件領路人、中國科學院院士、電子科技大學教授陳星弼在成都逝世

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中國功率半導體器件領路人、中國科學院院士、電子科技大學教授陳星弼在成都逝世

  2000年以后,陳星弼先生的其它重要發明還包括高K電介質耐壓結構、高速IGBT、兩種多數載流子導電的器件等。他發表超過200篇學術論文和獲得授權中美等國發明專利40余項,其中著名的超結發明專利US 5216275被國際專利他引超過550次,并授權給國際主流半導體公司。他主持完成國家自然科學基金重點項目、軍事研究項目、國家“八五”科技攻關項目多項。獲國家技術發明獎及國家科技進步獎2項,省部級獎勵13項。曾任電子工業部第十三所專用集成電路國家級重點實驗室學術委員會主任委員、四川省科學技術顧問團顧問等。

  [中國功率半導體器件領路人]

  陳星弼與半導體結緣于1958年。當年,在中國科學院進修的陳星弼被漂移晶體管吸引住了,當時他被指派去為計算機做半導體器件的測試。他以一個科研工作者的天賦,敏感地意識到這一領域具有極大的研究價值和發展潛能。不久,他寫了第一篇論文《關于半導體漂移三極管在飽和區工作時的儲存時間問題》,這篇論文被美國斯坦福大學教授畢列卡于1967年在《晶體管的電特性》中引用,日本管野卓雄教授在陳星弼發表論文4年后才發表了相關問題的論文。第一篇論文就大獲成功是陳星弼沒有想到的,但是這份成功卻無形中讓陳星弼對未來的科研之路充滿了信心和憧憬。

  真正讓陳星弼走進世界舞臺對中央,是因為他對“第二次電子革命”對的貢獻。20世紀90年代初,行業內專家認為,陳星弼的幾項發明成為第二次電子革命的突破口,這一創新在十年內將無人能突破。

中國功率半導體器件領路人、中國科學院院士、電子科技大學教授陳星弼在成都逝世

  在這背后,陳星弼的付出是巨大的。

  要讓功率管實現對電能的控制,主要的方法是開關。要想實現對開關的自由控制,就要實現開關的高靈敏、智能化。但是,功率管要求耐高電壓而集成電路只能耐低電壓。國外不得不把功率管和集成電路“隔離”開來,耗費巨大成本,還“費力不討好”。陳星弼決心啃下這塊硬骨頭,要讓儀器不僅有了一個“聰明的大腦”,還能做到“四肢發達”,讓做開關的功率管能夠輕松地直接連到集成電路上。經過多年的試驗,陳星弼通過改變功率管的結構,發明了復合緩沖耐壓結構,現稱為超結器件,它的優點是導通電阻低,易驅動,速度快。該技術已經獲得美國和中國發明專利。自1998年起,國外已有8家公司在制造。這個方法的工藝被改進后,成本大大下降,目前已成為一種重要產品,科技成果轉化市場規模每年超過10億美元。

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